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利用55nmBCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能SPAD

單光子雪崩二極管(SPAD)是各類應(yīng)用需求量很大的器件,特別是在生物醫(yī)學(xué)實(shí)踐方面。以CMOS技術(shù)制備的SPAD憑借其低制造成本、可大規(guī)模量產(chǎn)以及與電路的單片集成能力等優(yōu)勢(shì)而備受關(guān)注。此外,隨著“摩爾定律”等比例縮微,CMOS-SPAD的優(yōu)勢(shì)在像素分辨率、尺寸及功能等方面愈加突出。因此,諸多研究都在嘗試開發(fā)基于先進(jìn)CMOS技術(shù)的SPAD探測(cè)器。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)、瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)、延世大學(xué)(Yonsei University)和格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)新加坡工廠的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics期刊上發(fā)表了以“SPAD Developed in 55 nm Bipolar-CMOS-DMOS Technology Achieving Near 90% Peak PDP”為主題的論文。該論文的第一作者為KIST和EPFL的Won-Yong Ha,通訊作者為EPFL的Edoardo Charbon、延世大學(xué)的Woo-Young Choi和KIST的Myung-Jae Lee。

這項(xiàng)研究報(bào)道了一種利用55 nm雙極型CMOS-DMOS(BCD)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的SPAD。為了在保持擊穿電壓(VB)小于20 V的情況下實(shí)現(xiàn)高性能,由p型輕摻雜漏極(PLDD)與高電壓N阱(HVNW)層形成結(jié)。此外,SPAD上方的介電層被適當(dāng)蝕刻,以減少多層反射。該SPAD在光子探測(cè)概率(PDP)、暗計(jì)數(shù)率(DCR)和時(shí)間抖動(dòng)(Timing Jitter)等方面的性能出色,擊穿電壓低至16.1 V。


(資料圖片僅供參考)

圖1為兩種SPAD結(jié)構(gòu)的截面圖,兩種SPAD具有相同的器件結(jié)構(gòu),PLDD與HVNW層形成了直徑9 μm的PN結(jié),總直徑達(dá)到14.4 μm,如圖2所示。兩層結(jié)構(gòu)均是該技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)形式,其優(yōu)勢(shì)主要包括:(i)PLDD產(chǎn)生較少的注入引起的缺陷(implantation-induced defect),從而實(shí)現(xiàn)低噪聲SPAD運(yùn)行;(ii)HVNW利用PLDD層提供了適當(dāng)?shù)暮谋M區(qū),該區(qū)域足夠?qū)?,可以防止帶間隧穿,但同時(shí)不過分寬,避免擊穿電壓顯著增加。

圖1 BCD-SPAD的橫截面

圖2 BCD-SPAD的摻雜濃度分布圖譜

在擊穿電壓(VB)16 V、額外偏置電壓(VE)7 V時(shí),研究人員利用Okuto的雪崩擊穿模型對(duì)SPAD進(jìn)行了TCAD仿真,驗(yàn)證了SPAD的E場(chǎng)分布,仿真結(jié)果如圖3至圖6所示。

圖3 利用TCAD仿真得到BCD-SPAD的電場(chǎng)分布圖譜

圖4 利用TCAD仿真得到BCD-SPAD的擊穿概率分布圖譜

圖5 利用TCAD仿真得到無“峽谷”(canyon)BCD-SPAD的簡(jiǎn)化光線追蹤結(jié)果

圖6 利用TCAD仿真得到“峽谷”(canyon)BCD-SPAD的簡(jiǎn)化光線追蹤結(jié)果

隨后,研究人員對(duì)BCD-SPAD的I-V特性、光發(fā)射、PDP、DCR以及時(shí)間抖動(dòng)進(jìn)行了測(cè)試,結(jié)果如圖7所示。

圖7 BCD-SPAD相關(guān)性能測(cè)試

綜上所述,這項(xiàng)研究開發(fā)并表征了一種利用55 nm BCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)的高性能SPAD。利用BCD技術(shù)中的可用層,在低擊穿電壓(VB)下將SPAD結(jié)構(gòu)優(yōu)化為低噪聲且高效率運(yùn)行。為了提高其探測(cè)效率,研究人員使用“峽谷”(canyon)蝕刻來減少多層反射。當(dāng)擊穿電壓(VB)為16.1 V,該SPAD在450 nm處峰值PDP為89.4%、DCR為38.2 cps/μm2;當(dāng)額外偏置電壓(VE)為7 V時(shí),時(shí)間抖動(dòng)為66 ps。研究結(jié)果表明,所提出的SPAD在多種生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域具有巨大潛力。

這項(xiàng)研究獲得了韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)合作項(xiàng)目(2E32242)的資助和支持。

論文鏈接:http://doi.org/10.1109/JSTQE.2023.3303678

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